Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster
(12)
Alexander Kern
(4)
Frank Thielemann
(4)
Friedrich Hoyler
(2)
H. Lüth
(2)
J. Heber
(2)
M. Griebel
(2)
P. Kordos
(2)
A. Hartmann
(1)
A. Kastalsky
(1)
A. Rosenauer
(1)
B. Krafft
(1)
Bernd Kriegesmann
(1)
C. Daniels
(1)
C. Ohler
(1)
Ch. Dieker
(1)
D. Gerthsen
(1)
D. Uhlisch
(1)
D.H. White
(1)
Erich Staudt
(1)
F. Dubecky
(1)
F. Heidler
(1)
F. Rüders
(1)
Fridolin Heidler
(1)
G. H Döhler
(1)
Georg Wählisch
(1)
J. Betko
(1)
J. C. Barry
(1)
J. Darmo
(1)
J. Jakumeit
(1)
J. [u.a.] Wiesinger
(1)
K. M. Indlekofer
(1)
M. Balodis
(1)
M. Hauke
(1)
M. Hollfelder
(1)
M. Indlekofer
(1)
M. Jöckel
(1)
M. Marso
(1)
M. Morvic
(1)
M. Peter
(1)
P. Prokofjevs
(1)
R. W. Hoff
(1)
S. G. Lachenmann
(1)
S. Malzer
(1)
T. Kirschkamp
(1)
U. Fischer
(1)
W. Zischank
(1)
Wolfgang J. Zischank
(1)
- less
Year of publication
1998 (23)
(remove)
Document Type
Article (23)
(remove)
Language
English
(16)
German
(7)
Institute
Fachbereich Energietechnik (23)
(remove)
23
search hits
1
to
10
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
1
to
10