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The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes

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Verfasserangaben:Arnold Förster, J. Lange, D. Gerthsen
ISBN:0022-3727
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of Physics D: Applied Physics. 27 (1994), H. 1
Dokumentart:Wissenschaftlicher Artikel
Sprache:Englisch
Erscheinungsjahr:1994
Datum der Publikation (Server):18.12.2012
Erste Seite:175
Letzte Seite:178
Bemerkung:
ISSN der E-Ausg.: 1361-6463
Link:http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/27/1/028
Zugriffsart:campus
Fachbereiche und Einrichtungen:FH Aachen / Fachbereich Energietechnik