Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (143)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(2)
+ more
Document Type
Article (143)
(remove)
Language
English
(142)
German
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik (143)
(remove)
143
search hits
21
to
70
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Control of Aharonov-Bohm oscillations in a AlGaAs/GaAs ring by asymmetric and symmetric gate biasing
(2001)
B. Krafft
;
Arnold Förster
;
A. van der Hart
;
T. Schäpers
Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
(2000)
K. Tillmann
;
Arnold Förster
Cryogenic picosecond sampling using fiber-coupled photoconductive switch / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
S. Verghese
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Arnold Förster
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
T. H. Metzger
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
M. Thust
Die neue Welt
(1999)
Arnold Förster
;
Hans Lüth
;
Thomas Schäpers
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
A. Leuther
;
H. Lüth
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
M. Krüger
;
J. Appenzeller
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Appenzeller
;
C. Schroer
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
E. Bauser
Epitaxial growth and characterization of Si/NiSi2/Si(111) heterostructures / Angela Rizzi ; A. Förster ; H. Lüth
(1989)
Arnold Förster
;
Angela Rizzi
;
H. Lüth
Evaluation of dopant profiles and diffusion constants by means of electron energy loss spectroscopy
(1989)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
Fabrication and subpicosecond optical response of low-temperature-grown GaAs freestanding photoconductive devices. Adam, R.; Mikulics, M.; Forster, A.; Schelten, J.; Siegel, M.; Kordos, P.; Zheng, X.; Wu, S.; Sobolewski, R.
(2002)
Arnold Förster
;
R. Adam
;
M. Mikulics
;
J. Schelten
Fabrication of GaAs symmetric pyramidal mesas prepared by wet-chemical etching using AlAs interlayer. Kicin, S.; Cambel, V.; Kuliffayova, M.; Gregusova, D.; Kovacova, E.; Novak, J.; Kostic, I.; Forster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
S Kicin
;
V. Cambel
;
M. Kuliffayova
Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Generation of 460 GHz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs. Mikulics, M.; Siebe, F.; Fox, A.; Marso, M.; Forster, A.; Stuer, H.; Schafer, F.; Gusten, R.; Kordos, P.
(2002)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
F. Siebe
;
A. Fox
Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
(2004)
M. Mikulics
;
I. Camara
;
A. van der Hardt
;
A. Fox
;
Arnold Förster
;
R. Gusten
;
H. Lüth
;
P. Kordos
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Arnold Förster
;
U. Klemradt
;
M. Funke
;
M Fromm
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes / Simone Montanari ; Arnold Förster ; Mihail Ion Lepsa ; Hans Lüth
(2005)
Arnold Förster
;
Simone Montanari
;
Mihail Ion Lepsa
;
Hans Lüth
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
Quing Hu
;
S. Verghese
Homogeneity analysis of ion-implanted resonant tunnelling diodes for applications in digital logic circuits. Malindretos, Jörg; Förster, Arno; Indlekofer, Klaus Michael; Lepsa, Mihail Ion; Hardtdegen, Hilde; Schmidt, Roland; Luth, Hans
(2002)
Arnold Förster
;
Jörg Malindretos
;
Klaus Michael Indlekofer
;
Mihail Ion Lepsa
Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation
(2000)
R.C.P. Hoskens
;
T.G. van de Roer
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
Hot electron injector Gunn diode for advanced driver assistance systems
(2007)
Arnold Förster
;
M. I. Lepsa
;
D. Freundt
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Intrinsic bandgap of cleaved ZnO(112¯0) surfaces
(2013)
A. Sabitova
;
Ph. Ebert
;
A. Lenz
;
S. Schaafhausen
;
L. Ivanova
;
M. Dähne
;
A. Hoffmann
;
R. E. Dunin-Borkowski
;
Arnold Förster
;
B. Grandidier
;
H. Eisele
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Investigation of the InSb(110)-Sn schottky barrier by means of electron energy loss spectroscopy
(1987)
Arnold Förster
;
H. Lüth
21
to
70