Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (143)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Language
English (143)
(remove)
Has Fulltext
no (143)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(24)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(1)
143
search hits
91
to
110
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
Mode-Discriminating Photoconductor and Coplanar Wave-Guide Circuits for Picosecond Sampling. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; Verghese, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
S. Verghese
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
(2000)
U. Hodel
;
A. Orzati
;
M. Marso
;
O. Homann
;
A. Fox
;
A. v. d. Hart
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation
(2000)
R.C.P. Hoskens
;
T.G. van de Roer
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
R. C. P. Hoskens
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
;
T.G. van de Roer
Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
(2000)
K. Tillmann
;
Arnold Förster
Spectral Responsivity of single-quantum-well photodetectors
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
K.-M. Indlekofer
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
B. A. Glavin
;
R. V. Konakova
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
91
to
110