Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Arnold Förster
(144)
H. Lüth
(26)
P. Kordos
(18)
D. Gerthsen
(13)
A. E. Belyaev
(8)
M. Marso
(8)
S. A. Vitusevich
(8)
T. Schmidt
(8)
J. Betko
(7)
M. Mikulics
(7)
A. Rosenauer
(6)
J. Darmo
(6)
M. Morvic
(6)
R. J. Haug
(6)
S. G. Lachenmann
(6)
T. Schäpers
(6)
C. Ohler
(5)
K. Tillmann
(5)
A. Fox
(4)
J. Lauter
(4)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(3)
+ more
Document Type
Article
(143)
Book
(1)
Language
English
(142)
German
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik (144)
(remove)
144
search hits
21
to
40
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Homogeneity analysis of ion-implanted resonant tunnelling diodes for applications in digital logic circuits. Malindretos, Jörg; Förster, Arno; Indlekofer, Klaus Michael; Lepsa, Mihail Ion; Hardtdegen, Hilde; Schmidt, Roland; Luth, Hans
(2002)
Arnold Förster
;
Jörg Malindretos
;
Klaus Michael Indlekofer
;
Mihail Ion Lepsa
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Generation of 460 GHz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs. Mikulics, M.; Siebe, F.; Fox, A.; Marso, M.; Forster, A.; Stuer, H.; Schafer, F.; Gusten, R.; Kordos, P.
(2002)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
F. Siebe
;
A. Fox
Resonant tunneling effect in a periodically modulated electrical field. Vitusevich, S.A.; Forster, A.; Belyaev, A.E.; Sheka, D.I.; Luth, H.; Klein, N.; Danylyuk, S.V.; Konakova, R.
(2002)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
D. I. Sheka
Fabrication and subpicosecond optical response of low-temperature-grown GaAs freestanding photoconductive devices. Adam, R.; Mikulics, M.; Forster, A.; Schelten, J.; Siegel, M.; Kordos, P.; Zheng, X.; Wu, S.; Sobolewski, R.
(2002)
Arnold Förster
;
R. Adam
;
M. Mikulics
;
J. Schelten
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
(2000)
K. Tillmann
;
Arnold Förster
Spectral Responsivity of single-quantum-well photodetectors
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
Mode-Discriminating Photoconductor and Coplanar Wave-Guide Circuits for Picosecond Sampling. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; Verghese, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
S. Verghese
Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
K.-M. Indlekofer
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
B. A. Glavin
;
R. V. Konakova
Layer Deposition I
(2003)
Arnold Förster
Nonlinear charging effect of quantum dots in a p-i-n diode. Kiesslich, G.; Wacker, A.; Scholl, E.; Vitusevich, S.A.; Belyaev, A.E.; Danylyuk, S.V.; Forster, A.; Klein, N.; Henini, M.
(2003)
Arnold Förster
;
G. Kiesslich
;
A. Wacker
;
E. Scholl
Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices. Marso, M.; Mikulics, V. V.; Adam, R.; Wu, S.; Zheng, X.; Camara, I.; Siebe, N. Y.; Förster, A.; Güsten, R.; Kordos, P.; Sobolewski, R.
(2005)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
V. V. Mikulics
;
R. Adam
Resonant tunneling in nanocolumns improved by quantum collimation. Wensorra, J.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2005)
Arnold Förster
;
J. Wensorra
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
21
to
40