Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
+ more
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
11
to
60
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Förster, Arnold
;
Indlekofer, K.M.
;
Lüth, H.
Ultrafast Phenomena in Freestanding LT-GaAs Devices. Marso, M.; Mikulics, V. V.; Adam, R.; Wu, S.; Zheng, X.; Camara, I.; Siebe, N. Y.; Förster, A.; Güsten, R.; Kordos, P.; Sobolewski, R.
(2005)
Förster, Arnold
;
Marso, M.
;
Mikulics, V. V.
;
Adam, R.
Resonant tunneling in nanocolumns improved by quantum collimation. Wensorra, J.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2005)
Förster, Arnold
;
Wensorra, J.
;
Indlekofer, K. M.
;
Lüth, H.
High frequency investigation of graded gap injectors for GaAs Gunn diodes / Simone Montanari ; Arnold Förster ; Mihail Ion Lepsa ; Hans Lüth
(2005)
Förster, Arnold
;
Montanari, Simone
;
Lepsa, Mihail Ion
;
Lüth, Hans
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
Mikulics, M.
;
Marso, M.
;
Cámara Mayorga, I.
;
Gusten, R.
;
Stancek, S.
;
Michael, E. A.
;
Schieder, R.
;
Wolter, M.
;
Buca, D.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, M.
;
Lüth, H.
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Malzer, S.
;
Heber, J.
;
Peter, M.
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Fischer, U.
;
Gerthsen, D.
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Förster, Arnold
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Förster, Arnold
;
Döhler, G. H
;
Heber, J.
Quantum transport devices based on resonant tunneling
(2003)
Maezawa, Koichi
;
Förster, Arnold
Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
(2004)
Mikulics, M.
;
Camara, I.
;
Hardt, A. van der
;
Fox, A.
;
Förster, Arnold
;
Gusten, R.
;
Lüth, H.
;
Kordos, P.
On the spectrometric performance limit of radiation detectors based on semi-insulating GaAs
(2004)
Zatko, B.
;
Dubecký, F.
;
Bohacek, P.
;
Gombia, E.
;
Frigeri, P.
;
Mosca, R.
;
Franchi, S.
;
Huarn, J.
;
Nescas, V.
;
Sekacova, M.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
Srnanek, R.
;
Geurts, J.
;
Lentze, M.
;
Irmer, G.
;
Donoval, D.
;
Brdecka, P.
;
Kordos, P.
;
Förster, Arnold
;
Sciana, B.
;
Radziewicz, D.
;
Tlaczala, M.
Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates
(2005)
Mikulics, M.
;
Adam, R.
;
Kordos, P.
;
Förster, Arnold
;
Lüth, H.
;
Wu, S.
;
Zheng, X.
;
Sobolewski, R.
Hot electron injector Gunn diode for advanced driver assistance systems
(2007)
Förster, Arnold
;
Lepsa, M. I.
;
Freundt, D.
Anwendung der hochauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie zum Studium von Halbleiterschichtsystemen. - (Berichte der Kernforschungsanlage Jülich / Kernforschungsanlage ; 2247)
(1988)
Förster, Arnold
Resonant spectroscopy of electric-field-induced superlattices
(2001)
Vitusevich, S. A.
;
Förster, Arnold
;
Lüth, H.
;
Belyaev, A. E.
;
Danylyuk, S. V.
;
Konakova, R. V.
;
Sheka, D. I.
A Vertical Resonant Tunneling Transistor for Application in Digital Logic Circuits
(2001)
Stock, J.
;
Malindretos, J.
;
Indlekofer, K.M.
;
Pöttgens, Michael
;
Förster, Arnold
;
Lüth, Hans
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
(2000)
Hodel, U.
;
Orzati, A.
;
Marso, M.
;
Homann, O.
;
Fox, A.
;
Hart, A. v. d.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation
(2000)
Hoskens, R.C.P.
;
Roer, T.G. van de
;
Tolstikhin, V.I.
;
Förster, Arnold
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
Hoskens, R. C. P.
;
Tolstikhin, V.I.
;
Förster, Arnold
;
Roer, T.G. van de
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
Darmo, J.
;
Schäffer, F.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K.M.
;
Lüth, H.
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
Schmidt, R.
;
Tonnesmann, A.
;
Förster, Arnold
;
Grimm, M.
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Morvic, M.
;
Novak, J.
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
;
Novak, J.
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
;
Rüders, F.
Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode
(2000)
Vitusevich, S. A.
;
Förster, Arnold
;
Reetz, W.
;
Lüth, H.
;
Belyaev, A. E.
;
Danylyuk, S. V.
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hartmann, A.
;
Dieker, Ch.
;
Hollfelder, M.
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Bertuccio, G.
;
Pullia, A.
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Förster, Arnold
;
Brugger, H.
;
Meiners, U.
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Dubecky, F..
;
Darmo, J.
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Förster, Arnold
;
Dieker, C.
;
Gerthsen, D.
AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ...
(1993)
Walther, T.
;
Gerthsen, D.
;
Carius, Reinhard
;
Förster, Arnold
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Hardtdegen, Hilde
;
Ungermanns, C.
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Lentzen, M.
;
Gerthsen, D.
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, T. H.
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Remmele, T.
Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Ruders, F.
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Hu, Quing
;
Verghese, S.
Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Thust, M.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
11
to
60