Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(18)
Kordos, P.
(18)
Darmo, J.
(5)
Lüth, H.
(5)
Marso, M.
(4)
Betko, J.
(3)
Dubecký, F.
(3)
Mikulics, M.
(3)
Fox, A.
(2)
Gusten, R.
(2)
+ more
Year of publication
2005
(2)
2004
(3)
2002
(1)
2000
(3)
1998
(2)
1997
(2)
1996
(1)
1995
(2)
1994
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik (18)
(remove)
Has Fulltext
no
(18)
Language
English
(18)
Document Type
Article
(18)
Zugriffsart
campus
(11)
bezahl
(4)
Is part of the Bibliography
yes
(18)
18
search hits
1
to
18
Export
BibTeX
CSV
RIS
100
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
Mikulics, M.
;
Marso, M.
;
Cámara Mayorga, I.
;
Gusten, R.
;
Stancek, S.
;
Michael, E. A.
;
Schieder, R.
;
Wolter, M.
;
Buca, D.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates
(2005)
Mikulics, M.
;
Adam, R.
;
Kordos, P.
;
Förster, Arnold
;
Lüth, H.
;
Wu, S.
;
Zheng, X.
;
Sobolewski, R.
Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
(2004)
Mikulics, M.
;
Camara, I.
;
Hardt, A. van der
;
Fox, A.
;
Förster, Arnold
;
Gusten, R.
;
Lüth, H.
;
Kordos, P.
On the spectrometric performance limit of radiation detectors based on semi-insulating GaAs
(2004)
Zatko, B.
;
Dubecký, F.
;
Bohacek, P.
;
Gombia, E.
;
Frigeri, P.
;
Mosca, R.
;
Franchi, S.
;
Huarn, J.
;
Nescas, V.
;
Sekacova, M.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
Srnanek, R.
;
Geurts, J.
;
Lentze, M.
;
Irmer, G.
;
Donoval, D.
;
Brdecka, P.
;
Kordos, P.
;
Förster, Arnold
;
Sciana, B.
;
Radziewicz, D.
;
Tlaczala, M.
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Schafer, F.
;
Kordos, P.
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
(2000)
Hodel, U.
;
Orzati, A.
;
Marso, M.
;
Homann, O.
;
Fox, A.
;
Hart, A. v. d.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
Darmo, J.
;
Schäffer, F.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
Schmidt, R.
;
Tonnesmann, A.
;
Förster, Arnold
;
Grimm, M.
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
;
Rüders, F.
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Ruders, F.
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecký, F.
;
Kordos, P.
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecký, F.
;
Kordos, P.
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Kordos, P.
;
Kuklovsky, S.
1
to
18