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550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Aktuelle Fragen zur Schweißmetallurgie. Neue Werkstoffe und ihre schweißtechnische Verarbeitung = Current questions on welding metallurgy
(1998)
Horst-Peter Dören
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
Beispiele für EMV-Maßnahmen in großflächigen Anlagen
(1998)
Alexander Kern
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Druckindustrielle Innovation
(1998)
Frank Thielemann
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Entscheidungsunterstützung bei der Gestaltung der betrieblichen Energieversorgung und -nutzung
(1998)
Isabel Kuperjans
;
M. Schreiber
;
L. Determann
;
R. Schreiber
Ertüchtigung des Blitzschutzsystems für ein Bürogebäude auf der Basis von VDE V 0185 Teil 100 (ENV 61024-1) und VDE 0185 Teil 103 (IEC 1312-1)
(1998)
Alexander Kern
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
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