Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Article
Refine
Author
Arnold Förster (24)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2005
(2)
2004
(3)
2003
(1)
2002
(1)
2001
(3)
2000
(11)
Document Type
Article (24)
(remove)
Language
English (24)
(remove)
Institute
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien (24)
(remove)
24
search hits
11
to
20
Export
BibTeX
CSV
RIS
10
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates
(2005)
M. Mikulics
;
R. Adam
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
H. Lüth
;
S. Wu
;
X. Zheng
;
R. Sobolewski
Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
(2004)
M. Mikulics
;
I. Camara
;
A. van der Hardt
;
A. Fox
;
Arnold Förster
;
R. Gusten
;
H. Lüth
;
P. Kordos
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
M. Mikulics
;
M. Marso
;
I. Cámara Mayorga
;
R. Gusten
;
S. Stancek
;
E. A. Michael
;
R. Schieder
;
M. Wolter
;
D. Buca
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Intrinsic bandgap of cleaved ZnO(112¯0) surfaces
(2013)
A. Sabitova
;
Ph. Ebert
;
A. Lenz
;
S. Schaafhausen
;
L. Ivanova
;
M. Dähne
;
A. Hoffmann
;
R. E. Dunin-Borkowski
;
Arnold Förster
;
B. Grandidier
;
H. Eisele
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
R. Srnanek
;
J. Geurts
;
M. Lentze
;
G. Irmer
;
D. Donoval
;
P. Brdecka
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
B. Sciana
;
D. Radziewicz
;
M. Tlaczala
A Vertical Resonant Tunneling Transistor for Application in Digital Logic Circuits
(2001)
J. Stock
;
J. Malindretos
;
K.M. Indlekofer
;
Michael Pöttgens
;
Arnold Förster
;
Hans Lüth
Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
(2000)
K. Tillmann
;
Arnold Förster
Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
K.-M. Indlekofer
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
B. A. Glavin
;
R. V. Konakova
11
to
20