Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(2)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Document Type
Article
(143)
Conference Proceeding
(1)
Language
English (144)
(remove)
Has Fulltext
no
(143)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
144
search hits
41
to
140
Export
BibTeX
CSV
RIS
100
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Arnold Förster
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
Mode-Discriminating Photoconductor and Coplanar Wave-Guide Circuits for Picosecond Sampling. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; Verghese, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
S. Verghese
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Charge transport in superconductor/semiconductor/normal-conductor step junctions / S. G. Lachenmann ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler ; A. Förster ; J. Moers...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
J. Novak
;
M. Kucera
;
M. Morvic
Barrier height at clean Au/InAs(100) interfaces / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
Cryogenic picosecond sampling using fiber-coupled photoconductive switch / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
S. Verghese
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ...
(1997)
C. Ungermanns
;
M. v. d. Ahe
;
Reinhard Carius
;
Arnold Förster
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
G. Bertuccio
;
A. Pullia
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
F. Ruders
Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Observation of the local structure of landau bands in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; Vladimir I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
Annealing characteristics of native defects in low-temperature-grown MBE GaAs / J. Darmo ; F. Dubecky ; P. Kordos ; A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
Electron interference in a T-shaped quantum transistor based on Schottky-gate technology / J. Appenzeller ; Ch. Schroer ; Th. Schäpers ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Appenzeller
;
C. Schroer
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Novák
;
M. Morvic
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Arnold Förster
;
U. Klemradt
;
M. Funke
;
M Fromm
Optical investigation of impurity bands in a delta-doped n-layer / J. Schönhut ; C. Metzner ; S. Müller ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Schönhut
;
C. Metzner
Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. J. Haug
An optical correlator using a low-temperature-grown GaAs photoconductor / S. Verghese ; N. Zamdmer ; Qing Hu .... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
S. Verghese
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
Hall mobility analysis in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / J. Betko , M. Morvic ; J. Novák ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
H. Lüth
Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
DX centres, conduction band offsets and Si-dopant segregation in heterostructures / A. Leuther ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
A. Leuther
;
H. Lüth
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
Quing Hu
;
S. Verghese
Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
M. Thust
AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
H. Lüth
Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Arnold Förster
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
;
P. Pfundstein
Epitaxial gallium arsenide for nuclear radiation detector applications / J. Lauter ; E. Bauser ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
E. Bauser
AlGaAs/GaAs SAM-avalanche photodiode : an X-ray detector for low energy photons / J. Lauter ; D. Protic ; A. Förster ; H. Lüth
(1995)
Arnold Förster
;
J. Lauter
;
D. Protic
;
H. Lüth
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. H. Blick
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Effect of electron-electron interaction on hot ballistic electron beams / Th. Schäpers ; M. Krüger ; J. Appenzeller ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
M. Krüger
;
J. Appenzeller
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
Hilde Hardtdegen
;
C. Ungermanns
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
T. H. Metzger
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecký
;
P. Kordos
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
P. Kordos
;
S. Kuklovsky
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Hydrostatic pressure sensors based on solid state tunneling devices / H. Brugger; U. Meiners ; R. Diniz ... A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
;
R. Diniz
Control of ballistic electrons in (AlGa)As/GaAs heterostructures by means of superconducting niobium gate structures / T. Schäpers ; F. Müller ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
F.. Dubecky
;
J. Darmo
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Arnold Förster
Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Lohe
;
A. Leuther
Ga segregation and the effect of Si and Ge interlayers at the GaAs(100)/AlAs heterostructure / R. Kohleick ; A. Förster ; H. Lüth
(1993)
Arnold Förster
;
R. Kohleick
;
H. Lüth
Reflection and transmission of ballistic electrons at a potential barrier / Schäpers, T. ; Müller, F. ; Förster, A. ; Lengeler, B. ; Lüth, H.
(1993)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
;
B. Lengeler
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Dieker
;
D. Gerthsen
AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ...
(1993)
T. Walther
;
D. Gerthsen
;
Reinhard Carius
;
Arnold Förster
Modulated ellipsometric measurements and transfer-matrix calculation of the field-dependent dielectric function of a multiple quantum well / J.-Th. Zettler ; H. Mikkelsen ; K. Leo ... A. Förster
(1992)
Arnold Förster
;
J.-T. Zettler
;
H. Mikkelsen
;
K. Leo
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces / U. Resch ; N. Essera ; Y. S. Raptis ... A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
N. Essera
;
Y. S. Raptis
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Arnold Förster
;
H. Brugger
;
U. Meiners
Epitaxial growth and characterization of Si/NiSi2/Si(111) heterostructures / Angela Rizzi ; A. Förster ; H. Lüth
(1989)
Arnold Förster
;
Angela Rizzi
;
H. Lüth
Evaluation of dopant profiles and diffusion constants by means of electron energy loss spectroscopy
(1989)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
Surface reactions of trimethylgallium and trimethylarsenic on silicon surfaces
(1989)
Arnold Förster
;
H. Lüth
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
41
to
140