Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
D. Gerthsen (13)
(remove)
Year of publication
2000
(1)
1999
(1)
1998
(1)
1997
(1)
1995
(4)
1994
(1)
1993
(3)
1992
(1)
Language
English (13)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(13)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(1)
13
search hits
1
to
13
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Dieker
;
D. Gerthsen
AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ...
(1993)
T. Walther
;
D. Gerthsen
;
Reinhard Carius
;
Arnold Förster
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
;
P. Pfundstein
Growth morphology and misfit relaxation of MBE-grown In0.6 G0.4 As on GaAs(001) / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Growth mode and strain relaxation during the initial stage of InxGa1–xAs growth on GaAs(001) / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Effect of interface roughness and scattering on the performance of AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes
(1993)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
1
to
13