Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Article
Refine
Author
Arnold Förster (143)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(13)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article (143)
(remove)
Language
English (143)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(142)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(24)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(1)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(1)
143
search hits
51
to
70
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Observation of the local structure of landau bands in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; Vladimir I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Composition evaluation of InxGa1 – xAs Stranski-Krastanow-island structures by strain state analysis / A. Rosenauer ; U. Fischer ; D. Gerthsen ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
T. H. Metzger
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Arnold Förster
;
D. Rose
;
U. Pietsch
;
H. Metzger
Epitaxial growth and characterization of Si/NiSi2/Si(111) heterostructures / Angela Rizzi ; A. Förster ; H. Lüth
(1989)
Arnold Förster
;
Angela Rizzi
;
H. Lüth
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Arsenic passivation of MBE grown GaAs(100): structural and electronic properties of the decapped surfaces / U. Resch ; N. Essera ; Y. S. Raptis ... A. Förster ...
(1992)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
N. Essera
;
Y. S. Raptis
Band offsets at heavily strained III - V interfaces / C. Ohler ; A. Förster ; J. Moers...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
Barrier height at clean Au/InAs(100) interfaces / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
Wet chemical separation of low-temperature GaAs layers from their GaAs substrates / J. Novák ; M. Morvic ; J. Betko ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Novák
;
M. Morvic
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
J. Novak
;
M. Kucera
;
M. Morvic
Electron-electron interaction in ballistic electron beams / F. Müller ; B. Lengeler ; Th. Schäpers ... A. Förster...
(1995)
Arnold Förster
;
F. Müller
;
B. Lengeler
;
T. Schäpers
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
51
to
70