Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (146)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Language
English
(143)
German
(3)
Has Fulltext
no (146)
(remove)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(25)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(2)
146
search hits
47
to
66
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Die neue Welt
(1999)
Arnold Förster
;
Hans Lüth
;
Thomas Schäpers
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
47
to
66