Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (147)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
+ more
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
147
search hits
91
to
110
Export
BibTeX
CSV
RIS
20
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
The adsorption of fluor-carbon complexes on GaAs(110) studied by electron energy loss spectroscopy
(1986)
Arnold Förster
;
A. Spitzer
;
H. Lüth
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Die neue Welt
(1999)
Arnold Förster
;
Hans Lüth
;
Thomas Schäpers
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
R. C. P. Hoskens
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
;
T.G. van de Roer
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
J. Darmo
;
F. Schäffer
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
91
to
110