Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (147)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(3)
1987
(2)
1986
(1)
- less
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
147
search hits
11
to
60
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Ultrafast low-temperature-grown epitaxial GaAs photodetectors transferred on flexible plastic substrates
(2005)
M. Mikulics
;
R. Adam
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
H. Lüth
;
S. Wu
;
X. Zheng
;
R. Sobolewski
Generation of THz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs
(2004)
M. Mikulics
;
I. Camara
;
A. van der Hardt
;
A. Fox
;
Arnold Förster
;
R. Gusten
;
H. Lüth
;
P. Kordos
On the spectrometric performance limit of radiation detectors based on semi-insulating GaAs
(2004)
B. Zatko
;
F. Dubecký
;
P. Bohacek
;
E. Gombia
;
P. Frigeri
;
R. Mosca
;
S. Franchi
;
J. Huarn
;
V. Nescas
;
M. Sekacova
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
R. Srnanek
;
J. Geurts
;
M. Lentze
;
G. Irmer
;
D. Donoval
;
P. Brdecka
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
B. Sciana
;
D. Radziewicz
;
M. Tlaczala
Layer Deposition I
(2003)
Arnold Förster
Nonlinear charging effect of quantum dots in a p-i-n diode. Kiesslich, G.; Wacker, A.; Scholl, E.; Vitusevich, S.A.; Belyaev, A.E.; Danylyuk, S.V.; Forster, A.; Klein, N.; Henini, M.
(2003)
Arnold Förster
;
G. Kiesslich
;
A. Wacker
;
E. Scholl
Quantum transport devices based on resonant tunneling
(2003)
Koichi Maezawa
;
Arnold Förster
Perspectives of resonant tunneling diodes
(2002)
Arnold Förster
;
J. Stock
;
K. M. Indlekofer
Density-matrix description of a quantum dot system with variable lateral confinement in the single-electron tunneling regime. Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2002)
Arnold Förster
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Photoresponse spectra in p-i-n diodes containing quantum dots. Belyaev, A.E.; Vitusevich, S.A.; Eaves, L.; Main, P.C.; Henini, M.; Förster, A.; Reetz, W.; Danylyuk, S.V.
(2002)
Arnold Förster
;
A. E. Belyaev
;
S.A. Vitusevich
;
L. Eaves
Fabrication of GaAs symmetric pyramidal mesas prepared by wet-chemical etching using AlAs interlayer. Kicin, S.; Cambel, V.; Kuliffayova, M.; Gregusova, D.; Kovacova, E.; Novak, J.; Kostic, I.; Forster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
S Kicin
;
V. Cambel
;
M. Kuliffayova
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Homogeneity analysis of ion-implanted resonant tunnelling diodes for applications in digital logic circuits. Malindretos, Jörg; Förster, Arno; Indlekofer, Klaus Michael; Lepsa, Mihail Ion; Hardtdegen, Hilde; Schmidt, Roland; Luth, Hans
(2002)
Arnold Förster
;
Jörg Malindretos
;
Klaus Michael Indlekofer
;
Mihail Ion Lepsa
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Generation of 460 GHz radiation by photomixing in low-temperature-grown MBE GaAs. Mikulics, M.; Siebe, F.; Fox, A.; Marso, M.; Forster, A.; Stuer, H.; Schafer, F.; Gusten, R.; Kordos, P.
(2002)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
F. Siebe
;
A. Fox
Resonant tunneling effect in a periodically modulated electrical field. Vitusevich, S.A.; Forster, A.; Belyaev, A.E.; Sheka, D.I.; Luth, H.; Klein, N.; Danylyuk, S.V.; Konakova, R.
(2002)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
D. I. Sheka
Fabrication and subpicosecond optical response of low-temperature-grown GaAs freestanding photoconductive devices. Adam, R.; Mikulics, M.; Forster, A.; Schelten, J.; Siegel, M.; Kordos, P.; Zheng, X.; Wu, S.; Sobolewski, R.
(2002)
Arnold Förster
;
R. Adam
;
M. Mikulics
;
J. Schelten
Low-temperature-grown MBE GaAs for terahertz photomixers. Mikulics, M.; Marso, M.; Adam, R.; Fox, A.; Buca, D.; Förster, A.; Kordos, P.; Xu, Y.; Sobolewski, R.
(2001)
Arnold Förster
;
M. Mikulics
;
M. Marso
;
R. Adam
Control of Aharonov-Bohm oscillations in a AlGaAs/GaAs ring by asymmetric and symmetric gate biasing
(2001)
B. Krafft
;
Arnold Förster
;
A. van der Hart
;
T. Schäpers
Resonant spectroscopy of electric-field-induced superlattices
(2001)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
;
R. V. Konakova
;
D. I. Sheka
A Vertical Resonant Tunneling Transistor for Application in Digital Logic Circuits
(2001)
J. Stock
;
J. Malindretos
;
K.M. Indlekofer
;
Michael Pöttgens
;
Arnold Förster
;
Hans Lüth
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
(2000)
U. Hodel
;
A. Orzati
;
M. Marso
;
O. Homann
;
A. Fox
;
A. v. d. Hart
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation
(2000)
R.C.P. Hoskens
;
T.G. van de Roer
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
R. C. P. Hoskens
;
V.I. Tolstikhin
;
Arnold Förster
;
T.G. van de Roer
Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of In0.6Ga0.4As islands on GaAs(001)
(2000)
K. Tillmann
;
Arnold Förster
Spectral Responsivity of single-quantum-well photodetectors
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Tunneling Through X-Valley-Related Impurity States in GaAs/AlAs Resonant-Tunneling Diodes
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
K.-M. Indlekofer
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
B. A. Glavin
;
R. V. Konakova
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
R. Schmidt
;
A. Tonnesmann
;
Arnold Förster
;
M. Grimm
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
J. Darmo
;
F. Schäffer
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Arnold Förster
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
Atomic scale analysis of the indium distribution in InGaAs/GaAs (001) heterostructures: segregation, lateral indium redistribution and the effect of growth interruptions. Rosenauer, A. ; Oberst, W. ; Gerthsen, D. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Gerthsen
Mode-Discriminating Photoconductor and Coplanar Wave-Guide Circuits for Picosecond Sampling. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; Verghese, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
S. Verghese
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
J. Betko
;
M. Morvic
;
J. Novak
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
;
J. Novak
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
An InAlAs-InGaAs OPFET with responsivity above 200 A/W at 1.3-μm wavelength. Marso, M.; Gersdorf, P.; Fox, A.; Hodel, U.; Lambertini, R.; Kordos, P.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Marso
;
P. Gersdorf
;
A. Fox
Die neue Welt
(1999)
Arnold Förster
;
Hans Lüth
;
Thomas Schäpers
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Intrinsic bistability effect in delta doped tunneling diodes / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; B. A. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
B. A. Belyaev
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Arnold Förster
;
G. Janssen
;
T. G. van de Roer
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
11
to
60