English
Anmelden
Open Access
Startseite
Suchen
Browsen
Administration
FAQ
Wissenschaftlicher Artikel
Filtern
Autor
Arnold Förster (12)
(entfernen)
Erscheinungsjahr
1998 (12)
(entfernen)
Dokumenttyp
Wissenschaftlicher Artikel (12)
(entfernen)
Sprache
Englisch (12)
(entfernen)
12
Treffer
1
bis
12
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sortieren nach
Jahr
Jahr
Titel
Titel
Autor
Autor
Vertical transport and relaxation mechanisms in d-doping superlattices. Malzer, S.; Heber, J.; Peter, M.; Eckl, S.; Elpelt, R.; Doehler, G. H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
S. Malzer
;
J. Heber
;
M. Peter
Transport through a buried double barrier single electron transistor at low temperatures
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
M. Indlekofer
;
H. Lüth
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Arnold Förster
;
M. Morvic
;
J. Betko
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
;
D. Uhlisch
Hot electrons in n-i-p.i-based devices / G. H. Döhler ; J. Heber ... A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
G. H Döhler
;
J. Heber
Heterojunction band offsets and Schottky-barrier heights: Tersoff’s theory in the presence of strain / C. Ohler ; C. Daniels ; A. Förster ...
(1998)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
C. Daniels
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
M. Hauke
;
J. Jakumeit
;
B. Krafft
Composition evaluation by lattice fringe analysis. Rosenauer, A.; Fischer U.; Gerthsen D.; Förster A.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
U. Fischer
;
D. Gerthsen
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Dubecky
;
P. Kordos
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
;
F. Rüders
1
bis
12