Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Administration
FAQ
Refine
Author
Arnold Förster (144)
(remove)
Year of publication
2013
(1)
2007
(1)
2006
(1)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
1999
(14)
1998
(12)
1997
(16)
1996
(19)
1995
(14)
1994
(9)
1993
(8)
1992
(3)
1991
(1)
1989
(3)
1988
(3)
+ more
Document Type
Article
(143)
Book
(1)
Language
English
(142)
German
(2)
Institute
Fachbereich Energietechnik (144)
(remove)
144
search hits
11
to
60
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Thermal resistance of the semiconductor structures for a photomixing device. Darmo, J.; Schafer, F.; Forster, A.; Kordos, P.; Gusten, R
(2002)
Arnold Förster
;
J. Darmo
;
F. Schafer
;
P. Kordos
Thermal desorption of amorphous arsenic caps from GaAs(100) monitored by reflection anisotropy spectroscopy / U. Resch ; S. M. Scholz ; U. Rossow ... A. Förter ...
(1993)
Arnold Förster
;
U. Resch
;
S. M. Scholz
Theory of single-electron tunneling in resonant-tunneling diodes including scattering and multiple subbands at finite temperature / K. M. Indlekofer ; J. Lange ; A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
K. Indlekofer
;
J. Lange
The Schottky barrier at the InSb(110)–Sn interface
(1987)
Arnold Förster
;
A. Tulke
;
H. Lüth
The effect of inhomogeneous dopant profiles on the electron energy loss spectra of Si(100) /
(1988)
Arnold Förster
;
J. M. Layet
;
H. Lüth
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
(1994)
Arnold Förster
;
J. Lange
;
D. Gerthsen
The adsorption of fluor-carbon complexes on GaAs(110) studied by electron energy loss spectroscopy
(1986)
Arnold Förster
;
A. Spitzer
;
H. Lüth
Surface reactions of trimethylgallium and trimethylarsenic on silicon surfaces
(1989)
Arnold Förster
;
H. Lüth
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Fridrich
;
T. Schäpers
Superconductor/semiconductor step junctions: the basic element for hybrid three terminal devices. Lachenmann, S. G., Förster, A.; Friedrich, I.; Uhlisch, D.; Schäpers, Th.; Kastalsky, A.; Golubov, A. A.
(1999)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
I. Friedrich
;
D. Uhlisch
Subpicosecond coherent carrier-phonon dynamics in semiconductor heterostructures / T. Dekorsy ; A. M. T. Kim ; G. C. Cho ... A. Förster
(1996)
Arnold Förster
;
T. Dekorsy
;
A. T. M. Kim
Study of d-doped GaAs layers by micro-Raman spectroscopy on bevelled samples
(2004)
R. Srnanek
;
J. Geurts
;
M. Lentze
;
G. Irmer
;
D. Donoval
;
P. Brdecka
;
P. Kordos
;
Arnold Förster
;
B. Sciana
;
D. Radziewicz
;
M. Tlaczala
Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
(1995)
Arnold Förster
;
K. Tillmann
;
D. Gerthsen
;
P. Pfundstein
Structural and Chemical Investigation of In-0.6Ga0.4As Stranski-Krastanow Layers Burried in GaAs by Transmission Electron Microscopy
(2000)
A. Rosenauer
;
W. Oberst
;
D. Litvinov
;
D. Gerthsen
;
Arnold Förster
;
R. Schmidt
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
M. Lentzen
;
D. Gerthsen
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
A. Rosenauer
;
T. Remmele
Strain dependence of the valence-band offset in InAs/GaAs heterojunctions determined by ultraviolet photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; R. Kohleick ; A. Förster ...
(1994)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
R. Kohleick
Strain dependence of the valence-band offset in arsenide compound heterojunctions determined by photoelectron spectroscopy / C. Ohler ; J. Moers ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Ohler
;
J. Moers
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Arnold Förster
;
A. Hartmann
;
Ch. Dieker
;
M. Hollfelder
Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Spectral Responsivity of single-quantum-well photodetectors
(2000)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
W. Reetz
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
Space-charge controlled conduction in low-temperature-grown molecular-beam epitaxial GaAs / P. Kordos ; M. Marso, ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
M. Marso
Single-electron-tunneling spectroscopy of asymmetric laterally confined double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
Single-electron transport in small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
R. J. Haug
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Arnold Förster
;
M. Griebel
;
K.M. Indlekofer
;
H. Lüth
Semi-insulating GaAs layers grown by molecular-beam epitaxy / P. Kordos ; A. Förster ; J. Betko ...
(1995)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
J. Betko
Resonant tunneling in nanocolumns improved by quantum collimation. Wensorra, J.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(2005)
Arnold Förster
;
J. Wensorra
;
K. M. Indlekofer
;
H. Lüth
Resonant tunneling effect in delta p-n GaAs junction. Vitusevich, S. A.; Förster, A.; Belyaev, A. E.; Indlekofer, K. M.; Lüth, H.; Konakova, R. V.
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
K. M. Indlekofer
Resonant tunneling effect in a periodically modulated electrical field. Vitusevich, S.A.; Forster, A.; Belyaev, A.E.; Sheka, D.I.; Luth, H.; Klein, N.; Danylyuk, S.V.; Konakova, R.
(2002)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
;
D. I. Sheka
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Arnold Förster
Resonant tunneling diodes : the effect of structural properties on their performance
(1994)
Arnold Förster
Resonant spectroscopy of electric-field-induced superlattices
(2001)
S. A. Vitusevich
;
Arnold Förster
;
H. Lüth
;
A. E. Belyaev
;
S. V. Danylyuk
;
R. V. Konakova
;
D. I. Sheka
Reflection and transmission of ballistic electrons at a potential barrier / Schäpers, T. ; Müller, F. ; Förster, A. ; Lengeler, B. ; Lüth, H.
(1993)
Arnold Förster
;
T. Schäpers
;
F. Müller
;
B. Lengeler
Quasi-two-dimensional plasmons of a single δ-doped layer in GaAs studied by high-resolution electron-energy-loss spectroscopy / C. Lohe ; A. Leuther ; A. Förster ...
(1993)
Arnold Förster
;
C. Lohe
;
A. Leuther
Quantum-dot ground states in a magnetic field studied by single-electron tunneling spectroscopy on double-barrier heterostructures / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. H. Blick ... A. Förster ...
(1995)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. H. Blick
Quantum transport devices based on resonant tunneling
(2003)
Koichi Maezawa
;
Arnold Förster
Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
S. G. Lachenmann
;
A. Kastalsky
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
F. Ruders
Preparation of patterned GaAs structures for MEMS and MOEMS. Cambel, V.; Kicin, S.; Kuliffayová, M.; Kovácová, E.; Novák, J.; Kostic, I.; Förster, A.
(2002)
Arnold Förster
;
V. Cambel
;
S. Kicin
;
M. Kuliffayová
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Arnold Förster
;
G. Bertuccio
;
A. Pullia
Photoresponse spectra in p-i-n diodes containing quantum dots. Belyaev, A.E.; Vitusevich, S.A.; Eaves, L.; Main, P.C.; Henini, M.; Förster, A.; Reetz, W.; Danylyuk, S.V.
(2002)
Arnold Förster
;
A. E. Belyaev
;
S.A. Vitusevich
;
L. Eaves
Photomixers fabricated on nitrogen-ion-implanted GaAs
(2005)
M. Mikulics
;
M. Marso
;
I. Cámara Mayorga
;
R. Gusten
;
S. Stancek
;
E. A. Michael
;
R. Schieder
;
M. Wolter
;
D. Buca
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
;
H. Lüth
Perspectives of resonant tunneling diodes
(2002)
Arnold Förster
;
J. Stock
;
K. M. Indlekofer
Peak-to-valley ratio of small resonant-tunneling diodes with various barrier-thickness asymmetries / T. Schmidt ; M. Tewordt ; R. J. Haug ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
T. Schmidt
;
M. Tewordt
;
R. J. Haug
Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ...
(1997)
C. Ungermanns
;
M. v. d. Ahe
;
Reinhard Carius
;
Arnold Förster
Optically controlled 2D tunneling in GaAs delta-doped p-n junction / S. A. Vitusevich ; A. Förster ; A. E. Belyaev ...
(1999)
Arnold Förster
;
S. A. Vitusevich
;
A. E. Belyaev
Optical investigation of impurity bands in a delta-doped n-layer / J. Schönhut ; C. Metzner ; S. Müller ... A. Förster ...
(1996)
Arnold Förster
;
J. Schönhut
;
C. Metzner
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Arnold Förster
;
N. Zamdmer
;
Qing Hu
;
K. A. McIntosh
On the spectrometric performance limit of radiation detectors based on semi-insulating GaAs
(2004)
B. Zatko
;
F. Dubecký
;
P. Bohacek
;
E. Gombia
;
P. Frigeri
;
R. Mosca
;
S. Franchi
;
J. Huarn
;
V. Nescas
;
M. Sekacova
;
Arnold Förster
;
P. Kordos
11
to
60