Structural transformations and strain relaxation mechanisms of In0.6Ga0.4As islands grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) substrates / Tillmann, K. ; Gerthsen, D. ; Pfundstein, P. ; Förster, A. ; Urban, K.
| Verfasserangaben: | Arnold Förster, K. Tillmann, D. Gerthsen, P. Pfundstein |
|---|---|
| ISBN: | 0021-8979 |
| Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Journal of applied physics. 78 (1995), H. 6 |
| Dokumentart: | Wissenschaftlicher Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Erscheinungsjahr: | 1995 |
| Datum der Publikation (Server): | 18.12.2012 |
| Erste Seite: | 3824 |
| Letzte Seite: | 3832 |
| Link: | http://dx.doi.org/10.1063/1.359897 |
| Zugriffsart: | campus |
| Fachbereiche und Einrichtungen: | FH Aachen / Fachbereich Energietechnik |
