Deutsch
Login
Open Access
Home
Search
Browse
Publish
FAQ
Author(s)
All words
At least one word
None of the words
Title
All words
At least one word
None of the words
Additional Person(s)
All words
At least one word
None of the words
Referee(s)
All words
At least one word
None of the words
Abstract
All words
At least one word
None of the words
Fulltext
All words
None of the words
Refine
Author
Förster, Arnold
(147)
Lüth, H.
(26)
Kordos, P.
(18)
Gerthsen, D.
(13)
Belyaev, A. E.
(8)
Marso, M.
(8)
Schmidt, T.
(8)
Vitusevich, S. A.
(8)
Betko, J.
(7)
Mikulics, M.
(7)
+ more
Year of publication
2013
(1)
2012
(2)
2007
(1)
2006
(2)
2005
(5)
2004
(3)
2003
(3)
2002
(10)
2001
(4)
2000
(11)
+ more
Institute
Fachbereich Energietechnik
(144)
INB - Institut für Nano- und Biotechnologien
(26)
Fachbereich Medizintechnik und Technomathematik
(3)
Fachbereich Chemie und Biotechnologie
(2)
Has Fulltext
no
(146)
yes
(1)
Language
English
(144)
German
(3)
Document Type
Article
(145)
Book
(1)
Conference Proceeding
(1)
Keywords
Biosensor
(1)
GaAs hot electron injector
(1)
Gunn diode
(1)
microwave generation
(1)
Zugriffsart
campus
(64)
bezahl
(51)
weltweit
(3)
Is part of the Bibliography
yes
(144)
no
(3)
147
search hits
31
to
80
Export
BibTeX
CSV
RIS
50
10
20
50
100
Sort by
Year
Year
Title
Title
Author
Author
Hot electron injection laser: vertically integrated transistor-laser structure for high-speed, low-chirp direct modulation
(2000)
Hoskens, R.C.P.
;
Roer, T.G. van de
;
Tolstikhin, V.I.
;
Förster, Arnold
Vertically integrated transistor-laser structure, take 2
(2000)
Hoskens, R. C. P.
;
Tolstikhin, V.I.
;
Förster, Arnold
;
Roer, T.G. van de
Beryllium doped low-temperature-grown MBE GaAs: material for photomixing in the THz frequency range
(2000)
Darmo, J.
;
Schäffer, F.
;
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
Single electron transport in resonant tunnelling diodes laterally confined by ion implantation. Griebel, M.; Indlekofer, K.M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1999)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K.M.
;
Lüth, H.
Metamorphic InAlAs/InGaAs HEMT's on GaAs substrates using an InP buffer layer
(2000)
Schmidt, R.
;
Tonnesmann, A.
;
Förster, Arnold
;
Grimm, M.
;
Kordos, P.
;
Lüth, H.
Magnetoresistance in low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Betko, J.; Morvic, M.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Morvic, M.
;
Novak, J.
Characterization of low-temperature GaAs by conductivity, Hall effect and magnetoresistance measurements. Morvic, M., Betko, J.; Novak, J.; Förster, A.; Kordos, P.
(1999)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
;
Novak, J.
550 GHz bandwidth photodetector on low-temperature grown molecular-beam epitaxial GaAs. Kordos, P., Förster, A.; Marso, M.; Rüders, F.
(1998)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Marso, M.
;
Rüders, F.
Fine structure of photoresponse spectra in a double-barrier resonant tunnelling diode
(2000)
Vitusevich, S. A.
;
Förster, Arnold
;
Reetz, W.
;
Lüth, H.
;
Belyaev, A. E.
;
Danylyuk, S. V.
Spontaneous formation of tilted AlGaAS/GaAs superlattice during AlGaAs growth. Hartmann, A.; Dieker, Ch.; Hollfelder, M.; Hardtdegen, H.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hartmann, A.
;
Dieker, Ch.
;
Hollfelder, M.
Pixel X-ray detectors in epitaxial gallium arsenide withhigh-energy resolution capabilities (Fano factor experimentaldetermination) / G. Bertuccio ; A. Pullia ; J. Lauter ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Bertuccio, G.
;
Pullia, A.
On the hopping and band conductivity in molecular-beam epitaxial low-temperature grown GaAs / M. Morvic ; J. Betko ; J. Novák ... A. Förster
(1998)
Förster, Arnold
;
Morvic, M.
;
Betko, J.
High quality GaAs-based resonant tunneling diodes for high frequency device applications / H. Brugger ; U. Meiners ; C. Wölk ... A. Förster ...
(1991)
Förster, Arnold
;
Brugger, H.
;
Meiners, U.
Investigation of deep-level states in bulk and low temperature MBE semiinsulating GaAs by admittance transient spectroscopy / F. Dubecky ; J. Darmo ; M. Darviras ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Dubecky, F..
;
Darmo, J.
Microstructure of the AlAs/GaAs and AlAs/InGaAs resonant tunneling diodes and its correlation with the electrical properties / C. Dieker ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1993)
Förster, Arnold
;
Dieker, C.
;
Gerthsen, D.
AlAs/GaAs Quantum well structures: Interface properties investigated by high-resolution transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy / T. Walther ; D. Gerthsen ; R. Carius ; A. Förster ...
(1993)
Walther, T.
;
Gerthsen, D.
;
Carius, Reinhard
;
Förster, Arnold
Electrical and structural characterization of MBE GaAs grown at temperatures between 200 and 600 °C / P. Kordos ; J. Betko; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Betko, J.
Comparative investigation of electrical and optical characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs structures deposited by LP-MOVPE and MBE / H. Hardtdegen ; M. Hollfelder ; C. Ungermanns ... A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Hardtdegen, Hilde
;
Ungermanns, C.
Morphological transformations of MBE-grown In0.6Ga0.4As island on GaAs(001) substrates / K. Tillmann ; D. Gerthsen ; P. Pfundstein ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Gerthsen, D.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array -1 GBit/s X-ray receiver for timing measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Strain relaxation of lattice-mismatched In0.2Ga0.8As/GaAs superlattices on GaAs(001) substrates / M. Lentzen ; D. Gerthsen ; A. Förster ...
(1995)
Förster, Arnold
;
Lentzen, M.
;
Gerthsen, D.
Depth resolved investigations of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices using grazing incidence X-ray diffraction / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, T. H.
(1995)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, T. H.
Strain determination in mismatched semiconductor heterostructures by the digital analysis of lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; U. Fischer ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Remmele, T.
Imaging the local density of states in a disordered semiconductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Properties of LT MBE GaAs for photomixing up to THz frequencies / P. Kordos ; F. Ruders ; M. Marso ; A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Kordos, P.
;
Ruders, F.
High-frequency (f ~ 1 THz) studies of quantum-effect devices / Qing Hu ; S. Verghese ; R. A. Wyss ... A. Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Hu, Quing
;
Verghese, S.
Spectroscopy of local density of states fluctuations in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; V. I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Determination of segregation, elastic strain and thin-foil relaxation in InxGa-1-x As islands on GaAs(001) by high resolution transmission electron microscopy / K. Tillmann ; A. Thust ; M. Lentzen ... A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Tillmann, K.
;
Thust, M.
AlGaAs/GaAs avalanche detector array-1 GBit/s X-ray receiver fortiming measurements / J. Lauter ; A. Förster ; H. Lüth ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lauter, J.
;
Lüth, H.
Novel hybrid Nb/InAs/Nb step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1996)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
Spectroscopy of the single-particle states of a quantum-dot molecule / T. Schmidt ; R. J. Haug ; K. v. Klitzing ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Observation of the local structure of landau bands in a disordered conductor / T. Schmidt ; R. J. Haug ; Vladimir I. Fal'ko ... A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Schmidt, T.
;
Haug, R. J.
Atomic scale strain measurements by the digital analysis of transmission electron microscopic lattice images / A. Rosenauer ; T. Remmele ; D. Gerthsen ... A. Förster
(1997)
Förster, Arnold
;
Rosenauer, A.
;
Remmele, T.
Properties of Nb/InAs/Nb hybrid step junctions / S. G. Lachenmann ; A. Kastalsky ; I. Friedrich ; A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE / C. Ungermanns ; M. v. d. Ahe ; R. Carius ; A. Förster ...
(1997)
Ungermanns, C.
;
Ahe, M. v. d.
;
Carius, Reinhard
;
Förster, Arnold
Logic Circuits with reduced complexity based on devices with higher functionality / G. Janssen ; T. G. van de Roer ; W. Prost ... A. Förster
(1999)
Förster, Arnold
;
Janssen, G.
;
Roer, T. G. van de
Resonant tunneling diodes operating as modern quantum transport devices
(2000)
Förster, Arnold
Ultrafast and Highly Sensitive Photodetectors With Recessed Electrodes Fabricated on Low-Temperature-Grown GaAs. Mikulics, M.; Wu, S.; Marso, M.; Adam, R.; Förster, A.; van der Hart, A.; Kordos, P.; Lüth, H.; Sobolewski, R.
(2006)
Förster, Arnold
;
Mikulics, M.
;
Wu, S.
;
Marso, M.
Ultrahigh frequency measurements of magnetic penetration length and surface impedance of YBa2Cu3O7–x microstriplines on Si and GaAs substrates . Rüders, F; Hollricher, O.; Copetti, C. A. ; Förster, A. ; Buchal, Ch. ; Prusseit, W. ; Kinder, H.
(1995)
Förster, Arnold
DX Centers in Al0.3Ga0.7As/GaAs Analyzed by Point Contact Measurements. Hauke, M.; Jakumeit, J.; Krafft, B.; Nimtz, G.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Hauke, M.
;
Jakumeit, J.
;
Krafft, B.
Transport properties of gated resonant tunneling diodes in the single electron regime. Griebel, M.; Indlekofer, K. M.; Förster, A.; Lüth, H.
(1998)
Förster, Arnold
;
Griebel, M.
;
Indlekofer, K. M.
;
Lüth, H.
Hybrid superconductor/semiconductor step junction with three terminals. Lachenmann, S. G.; Kastalsky, A.; Förster A.; Uhlisch, D.; Neurohr, K.; Schäpers, Th.
(1998)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Kastalsky, A.
;
Uhlisch, D.
Annealing effect on concentration of EL6-like deep-level state in low-temperature-grown molecular beam epitaxial GaAs. Darmo, J.; Dubecky, F.; Kordos, P.; Förster, A.
(1998)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecky, F.
;
Kordos, P.
Supression of the surface-inversion layer of p-type InAs. Lachenmann, S. G.; Fridrich, I.; Förster, A.; Schäpers, Th.
(1999)
Förster, Arnold
;
Lachenmann, S. G.
;
Fridrich, I.
;
Schäpers, T.
On-chip frequency domain submillimeter-wave transceiver. Zamdmer, N.; Hu, Qing ; McIntosh K. A. ; Verghise, S. ; Förster, A.
(1999)
Förster, Arnold
;
Zamdmer, N.
;
Hu, Qing
;
McIntosh, K. A.
Deep-level states and electrical properties of GaAs grown at 250 °C / J. Darmo ; F. Dubecký ; P. Kordos ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Darmo, J.
;
Dubecký, F.
;
Kordos, P.
Electrical properties of molecular beam epitaxial GaAs layers grown at low temperature / J. Betko ; P. Kordos ; S. Kuklovsky ; A. Förster ...
(1994)
Förster, Arnold
;
Betko, J.
;
Kordos, P.
;
Kuklovsky, S.
Characterization of low-temperature GaAs by galvanomagnetic an photoluminescence measurements / J. Novák ; M. Kucera ; M. Morvic ... A. Förster ...
(1997)
Förster, Arnold
;
Novak, J.
;
Kucera, M.
;
Morvic, M.
Depth resolved investigation of the relaxation behaviour in strained GaInAs/GaAs superlattices / Rose, D. ; Pietsch, U. ; Förster, A. ; Metzger, H....
(1994)
Förster, Arnold
;
Rose, D.
;
Pietsch, U.
;
Metzger, H.
Growth-induced interface roughness of GaAs/AlAs-layers studied by X-ray scattering under grazing angles / U. Klemradt ; M. Funke ; M. Fromm ... A Förster
(1996)
Förster, Arnold
;
Klemradt, U.
;
Funke, M.
;
Fromm, M
31
to
80